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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
IEICE-SDM, IEICE-ICD
(共催)
IST
(連催) [詳細]
2019-08-09
14:10
北海道 北海道大学 情報科学院 3F A31 急峻なSSを持つ“PN Body-Tied SOI-FET”におけるBOX中の固定電荷と基板バイアスの影響
矢吹 亘井田次郎森 貴之金沢工大)・石橋孝一郎電通大)・新井康夫高エネルギー加速器研究機構
 [more]
IST, IEICE-ICD, IEICE-SDM
(連催) ※学会内は併催
2018-08-07
14:25
北海道 北海道大学 M棟M151 急峻なSSを持つ"PN-Body Tied SOI-FET"を使った極低電圧整流実験
百瀬 駿井田次郎山田拓弥森 貴之伊東健治金沢工大)・石橋孝一郎電通大)・新井康夫高エネルギー加速器研究機構
 [more]
IST 2018-03-09
16:15
東京 NHK 放送技術研究所講堂 [招待講演]量子線イメージセンサ用SOIモノリシックピクセル技術
新井康夫三好敏喜倉知郁生高エネ研
Silicon-On-Insulator (SOI)技術は、回路層に加え厚いシリコン層を持つことから、放射線センサと回路... [more] IST2018-25
pp.61-66
IEICE-SDM, IEICE-ICD
(共催)
IST
(連催) [詳細]
2017-07-31
15:30
北海道 北海道大学情報教育館 熱雑音抑制型サンプルホールド回路を用いたイオン飛行時間計測用SOIイメージセンサ
羅 晳珍池辺将之横山紗由里高前田伸也本村真人浅井哲也北大)・間 久直阪大)・藤田陽一新井康夫KEK
 [more] IST2017-44
pp.35-38
IEICE-SDM, IEICE-ICD
(共催)
IST
(連催) [詳細]
2017-08-02
11:35
北海道 北海道大学情報教育館 急峻なSSを持つPN-Body Tied SOI FETを用いた高効率RFエネルギーハーベスト用Gate Controlled Diodeの特性
百瀬 駿井田次郎森 貴之吉田貴大岩田潤平堀井隆史古田貴大山田拓弥高松大地伊東健治金沢工大)・石橋孝一郎電通大)・新井康夫高エネルギー加速器研究機構
 [more]
IST 2017-06-23
14:40
東京 東京理科大学 森戸記念館 [ポスター講演]完全空乏型SOIピクセルイメージセンサの感度評価
中西駿太静岡大)・亀濱博紀沖縄高専)・Sumeet Shreatha安富啓太香川景一郎寺西信一静岡大)・武田彩希宮崎大)・鶴 剛京大)・新井康夫KEK)・川人祥二静岡大
 [more] IST2017-38
pp.17-20
IEICE-ICD, IEICE-SDM
(共催)
IST
(連催) [詳細]
2016-08-03
14:40
大阪 中央電気倶楽部 ボディ電圧1V以下ドレイン電圧0.1Vで急峻なSSを持つPN-Body Tied SOI FET
吉田貴大井田次郎堀井隆史金沢工大)・沖原将生ラピス)・新井康夫高エネルギー加速器研究機構
PN-Body Tied SOI FETのBody Tied部のN層の濃度を濃いN+層から薄いN-層に見直すことで、ボデ... [more]
IST 2015-09-18
14:30
東京 機械振興会館 バックゲート表面電位固定構造を用いた完全空乏化SOIピクセル検出器の性能評価
亀濱博紀シュレスタ シュミート安富啓太香川景一郎静岡大)・武田彩希鶴 剛京大)・新井康夫高エネ研)・川人祥二静岡大
 [more] IST2015-52
pp.37-40
IST, IEICE-ICD
(連催)
2014-07-04
09:50
島根 出雲市(島根県) 会場は詳細参照 [招待講演]SOI技術による量子イメージング
新井康夫高エネ研
 [more] IST2014-35
pp.45-49
IST 2014-03-14
17:10
東京 NHK放送技術研究所 SOIピクセルイメージセンサと科学計測応用
川人祥二亀濱博紀シュミート シュレスタ安富啓太香川景一郎静岡大)・池辺将之北大)・新井康夫高エネルギー加速器研究機構
 [more] IST2014-17
pp.35-37
IST, IEICE-ICD
(連催)
2011-07-21
15:50
広島 広島工業大学 [招待講演]SOI技術を用いた放射線イメージング検出器
新井康夫高エネ研
 [more] IST2011-49
pp.53-56
IST, IEICE-ICD
(連催)
2010-07-23
14:10
大阪 常翔学園大阪センター [招待講演]素粒子実験用TDCとSOI放射線イメージ検出器
新井康夫KEK素核研
 [more] IST2010-39
pp.101-106
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