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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
IST 2017-09-25
10:40
東京 機械振興会館 SNR 70dB超のCMOSイメージセンサと半値幅10nmのチューナブルマルチバンドパスフィルタを用いた分光イメージングシステム
青柳雄介藤原康行村田真麻那須野悟史若嶋駿一黒田理人寺島康平石鍋隆宏藤掛英夫東北大)・若生一広仙台高専)・須川成利東北大
 [more] IST2017-51
pp.9-12
IST 2016-11-17
16:30
東京 東工大田町キャンパス [ポスター講演]190-1100 nm waveband multispectral imaging system using high UV-light resistance 94dB dynamic range CMOS image sensor
Yasuyuki FujiharaSatoshi NasunoShunichi WakashimaYusuke AoyagiRihito KurodaShigetoshi SugawaTohoku Univ.
A 190-1100nm waveband multispectral imaging system is develo... [more] IST2016-66
pp.37-38
IST 2016-05-06
13:05
東京 東京理科大学 森戸記念館 [ポスター講演]シリコンフォトダイオードを用いた分光感度差分型紫外線センサ
Yhang Ricardo Sipauba Carvalho da Silva幸田安真那須野悟史黒田理人須川成利東北大
ドーパントの濃度プロファイルを調整することで,紫外線高感度PDと紫外線低感度PDの2種類のPDを受光素子内に作り込み,そ... [more] IST2016-22
pp.5-8
IST 2016-05-06
13:05
東京 東京理科大学 森戸記念館 [ポスター講演]高光耐性・広ダイナミックレンジCMOSイメージセンサを用いた紫外分光イメージング
藤原康行那須野悟史若嶋駿一楠原史章石井秀和黒田理人須川成利東北大
広光波長帯域・高光耐性PD,高感度・高飽和性能を有するLOFIC CMOSイメージセンサを用いた紫外分光イメージングにつ... [more] IST2016-24
pp.13-16
IST 2015-09-18
16:10
東京 機械振興会館 電荷電圧変換ゲイン240uV/e-、飽和電子数200ke-、感度波長帯域190-1000nmを有するCMOSイメージセンサ
那須野悟史若嶋駿一楠原史章黒田理人須川成利東北大
広光波長帯域・高信頼性PD技術,低容量FD形成技術,LOFIC技術,埋め込みチャネル技術を融合した画素ピッチ5.6 μm... [more] IST2015-55
pp.49-52
IST 2015-09-18
16:40
東京 機械振興会館 フローティングディフュージョン容量成分の解析・低減技術と高感度・高飽和CMOSイメージセンサへの適用
楠原史章若嶋駿一那須野悟史黒田理人須川成利東北大
フローティングディフュージョン(FD)容量(CFD)成分の解析と低減技術,およびそれらを適用して試作した高感度・高飽和C... [more] IST2015-56
pp.53-56
IST 2013-09-30
14:40
東京 機械振興会館 200-1000nmの広光波長帯域に感度を有する高紫外光照射耐性CMOSイメージセンサ
黒田理人川田 峻那須野悟史中澤泰希幸田安真半澤克彦須川成利東北大
 [more] IST2013-47
pp.21-24
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