Online edition: ISSN 2424-1970
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IST2026-11
読出速度6Tpixel/s記録枚数256コマ寄生光感度−170 dBを実現したグローバルシャッターバーストCMOSイメージセンサ
○北邨益飛・川口泰範（島津製作所）・栗山尚也（ラピスセミコンダクタ）・前田智晃・今村俊文（エイアールテック）・間脇武蔵・須川成利・黒田理人（東北大）
pp. 1 - 6
IST2026-12
無段階加速度ランプ生成器の分散配置アーキテクチャに基づくシングルスロープADC CMOSイメージセンサ
○迫田隼人・大高俊德・佐藤俊一・浜本隆之（東京理科大）
pp. 7 - 12
IST2026-13
無線給電CMOSイメージセンサに向けた干渉ノイズの評価
○大山隼輝・岡田虹輝（立命館大）・宮内 健（ブリルニクスジャパン/立命館大）・大和田英樹・郭 家祺・高柳 功（ブリルニクスジャパン）・田中亜実・西村文哉・大倉俊介（立命館大）
pp. 13 - 17
IST2026-14
風車パターンエッジ特徴抽出とオンチップDNNを備える0.8μm32Mpixel常時オンCMOSイメージセンサ
○佐藤 守・曙 佐智雄・安岡一嘉・加藤恵里子・鶴田将大・太田健介・原口和樹・渡邉正浩・藤井元暉・山中幸一郎・安田和徳・南 智史・半澤克彦・松田航平・加藤昭彦・植野洋介（SSS）
pp. 18 - 22
IST2026-15
アバランシェ電荷量と暗時ノイズを飛躍的に低減する新規SPAD構造
○篠原真人・関根 寛・白髭大貴・池田 一・坂本 健・アブデルガファール愛満・三上 萌・井上一馬・江原アリス・加藤慈規・森本和浩・岩田旬史・松野靖司・桜井克仁・市川武史（キヤノン）
pp. 23 - 27
IST2026-16
不純物設計の最適化により波長940nmにおいてPDE42.5%を実現した裏面照射型10µmSPAD測距センサ
島田翔平・大竹悠介・○鈴木淳貴・馬郡あおい・倉田憲治・松井智徳・土田遼哉（ソニーセミコンダクタソリューションズ）・岡崎 睦（ソニー）・横地界斗・岩瀬寿仁・高瀬博章・古閑史彦・小木 純（ソニーセミコンダクタソリューションズ）・前田英訓・森山公治・本田英之（ソニーセミコンダクタマニュファクチャリング）・藤澤 薫・三浦隆裕・纐纈洋章・若野寿史（ソニーセミコンダクタソリューションズ）
pp. 28 - 31
IST2026-17
室温環境にて波長1300 nmにてPDE 33.8%を実現した10 µm Ge-on-Si SPAD距離センサ
吉田 悟・島田翔平・○松崎厚志・シルヴィア ルー メイ リン・大竹悠介・長山哲治・落合聡一・丹下貴志・佐々木 顯・安井淳人・横地界斗・高瀬博章・佐々木勝昭・宮下 勝・大野 哲（ソニーセミコンダクタソリューションズ）・高橋一摩・田中寛隆・佐々木 隆・三苫 想（ソニーセミコンダクタマニュファクチャリング）・若野寿史（ソニーセミコンダクタソリューションズ）
pp. 32 - 35
IST2026-18
Practical Process of Dislocation-free Ge-on-Si Image Sensors
○T. Goji Etoh（Kindai Univ.）・Taeko Ando（Ritsumeikan Univ.）・Kentarou Sawano（Tokyo City Univ.）・Kohsei Takehara（Kindai Univ.）
pp. 36 - 39
IST2026-19
SOI FinFETを用いた高変換効率と低ノイズを実現した2層トランジスタ画素積層型CMOSイメージセンサ
高柳良平・加茂 崇・○山知亮介・櫻井真由・大石秀俊・入口拓也・高橋 洋・榎本泰啓・影山友基・田中裕介・菊池善明・山元純平・熊野秀臣・吉田慎一・北野良昭・太田和伸・平野智之（ソニーセミコンダクタソリューションズ）
pp. 40 - 43
IST2026-20
A Monolithic Dual-Layer Pixel Design with BEOL IGZO Transistors featuring High Dual Conversion Gain Ratio and Scaled Pixel Size for Future Image Sensors
○Kishou Kaneko（Huawei Japan）・S. Chen・H. Wang・L. Kang・Y. Li・W. Cui・S. Lu・W. Zhao・Y. Wang・Y. Yin・Y. Shao・Z. Lin・X. Cui・Y. Wu（Huawei）
pp. 44 - 47
IST2026-21
小面積HDR型CMOSイメージセンサに向けた4T-DCG Large-Small Multiple-PD型画素の検討
○増井翔伍・竹本周平・大谷 愛（立命館大）・宮内 健（立命館大/ブリルニクスジャパン）・大和田英樹・郭 家祺・高柳 功（ブリルニクスジャパン）・大倉俊介（立命館大）
pp. 48 - 53
IST2026-22
光量適応信号選択機能を有する3次元積層型2段LOFIC CMOSイメージセンサ
○吉田将也・瀧澤康平・間脇武蔵・宮内 健・黒田理人（東北大）
pp. 54 - 59
IST2026-23
A 2.1 μm Single-Exposure 129 dB Dynamic Range CMOS Image Sensor with Triple Readout Technique
○Ryosuke Nakamura・Takaya Yamanaka・Shunsuke Kasashima・Chie Tokumitsu・Masatoshi Kitajima・Rikuya Matano・Takeshi Ishizaki・Hiroaki Iga・Makoto Aoki（SSS）・Shohei Nabeyoshi・Masashi Takami・Shuto Kuwahara（SCK）・Yorito Sakano・Yusuke Oike（SSS）
pp. 60 - 63
IST2026-24
電荷領域時間圧縮CMOSイメージセンサのLiDAR/FLIm/DOT応用における信号復元精度の検討
○香川景一郎・林 大輔・髙倉 嵐・梅木佑斗・井柳幹太・安富啓太・川人祥二（静岡大）・吉田道隆（岡山大）・長原 一（阪大）
pp. 64 - 69
IST2026-25
高照度耐性に向けた電荷ストレージ構造を有した4-tap iToFセンサへの線形対数応答の応用
○アルカデ ガブリエル・奥山智弘（静岡大）・マース カメル（静岡理工科大）・リュウ ドゥシン（スイクト）・香川景一郎・安富啓太・川人祥二（静岡大）
pp. 70 - 73
IST2026-26
A 25M points/s Back-Illuminated Stacked SPAD Direct Time-of-Flight Depth Sensor with Equivalent Time Sampling and Pixel-Level Threshold Control for Automotive LiDAR
○半澤克彦・由井達哉・細谷昌宏・劉 玉清・安福 正・田中義則・田代睦聡・トゥメウ アルバート（SSS）・山根正孝・柴田真利・坂田敏樹（SCK）・赤塚和久・松下雄大（SSS）・山田浩輝・森 耕司（SCK）・豊島隆寛・坂野頼人・熊谷央一・津野地賢一・高橋昌幸（SSS）
pp. 74 - 78
IST2026-27
重み付けフォトンカウント技術によりシングルショット156dB HDRおよびLEDフリッカ抑制を実現した2/3インチ 210万画素SPADイメージセンサー
大田康晴・関根 寛・森本和浩・○遠藤 航・笹子知弥・アブデルガファ愛満・三ヶ尻 悟・磯田尚希・小林大祐・篠原真人・三上 萌・井上一馬・安井英顕・戸島研三・丹羽雅志・面谷 聡・千田一馬・上平晃聖・板野哲也・乾 文洋・岩田旬史・大村昌伸・松野靖司・櫻井克仁・市川武史（キヤノン）
pp. 79 - 83
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．