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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
IEICE-ICD, IEICE-SDM
(共催)
IST
(連催) [詳細]
2026-08-04
14:50
北海道 北海道大学薬学部第二講義室
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
イメージセンサの光起電力効果を用いたイベント駆動制御回路の検討
○藤田智優・古堅安慈・田中亜実(立命館大)・堀井大輔・堀田遼太郎・大倉鉄郎(ルネサス)・大倉俊介(立命館大)
 [more] IST2026-33
pp.9-14
IEICE-ICD, IEICE-SDM
(共催)
IST
(連催) [詳細]
2023-08-02
09:00
北海道 北海道大学
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]A 33kDMIPS 6.4W Vehicle Communication Gateway Processor Achieving 10Gbps/W Network Routing, 40ms CAN Bus Start-Up and 1.4mW Standby Power
○Kenichi Shimada・Keiichiro Sano・Kazuki Fukuoka・Hiroshi Morita・Masayuki Daito・Tatsuya Kamei・Hiroyuki Hamasaki・Yasuhisa Shimazaki(Renesas)
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IEICE-ICD, IEICE-SDM
(共催)
IST
(連催) [詳細]
2022-08-10
15:00
ONLINE オンライン開催 [招待講演]A CMOS Image Sensor and an AI Accelerator for Realizing Edge-Computing-Based Surveillance Camera Systems
Fukashi Morishita・○Norihito Kato・Satoshi Okubo・Takao Toi・Mitsuru Hiraki・Sugako Otani・Hideaki Abe・Yuji Shinohara・Hiroyuki Kondo(Renesas Electronics)
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IEICE-SDM, IEICE-ICD
(共催)
IST
(連催) [詳細]
2021-08-18
13:00
ONLINE オンライン開催 [招待講演]タスク分離型制御のASIL D向け機能安全と60.4TOPS、13.8TOPS/WのCNNアクセラレータを備える12nm自動運転プロセッサ
○松原勝重・Lieske Hanno(ルネサス エレクトロニクス)・木村 基(Renesas Electronics Europe)・中村 淳・小池 学・寺島和昭・森川 俊・堀田義彦・入田隆宏・望月誠二・浜崎博幸・亀井達也(ルネサス エレクトロニクス)
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IST 2019-09-20
14:15
東京 機械振興会館 ピラミッド型回折装置を備えた裏面照射型CMOS撮像画素における近赤外線の像面位相差検出
○國清辰也・後藤洋太郎・高橋史年・佐藤英則・神野 健・飯塚康治・園田賢一郎・山下朋弘(ルネサスエレクトロニクス)
 [more] IST2019-49
pp.25-28
IEICE-SDM, IEICE-ICD
(共催)
IST
(連催) [詳細]
2019-08-07
16:30
北海道 北海道大学 情報科学院 3F A31 [招待講演]28nmスプリットゲートMONOS型フラッシュメモリを用いた高温動作かつ低エラー率を実現するPUF技術
○下井貴裕・斉藤朋也・長瀬寛和・伊豆名雅之・神田明彦・伊藤 孝・河野隆司(ルネサス エレクトロニクス)
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IEICE-SDM, IEICE-ICD
(共催)
IST
(連催) [詳細]
2019-08-09
10:50
北海道 北海道大学 情報科学院 3F A31 [招待講演]ISO26262 ASIL-Dをサポートする、次世代自動車アーキテクチャ向けに仮想化支援プロセッサを内蔵した28nm・600MHz車載フラッシュマイクロコントローラ
○奥村直人・大谷寿賀子・大槻典正・鈴木康文・前田昇平・柳田智則・小池貴夫・伊藤正雄・上村 稔・島崎靖久・服部俊洋・阪本憲成・近藤弘郁(ルネサス エレクトロニクス)
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IST, IEICE-ICD, IEICE-SDM
(連催) ※学会内は併催
2018-08-08
13:15
北海道 北海道大学 M棟M151 パスゲートトランジスタの対称性を向上した28nmHKMG 10TデュアルポートSRAMセル
○石井雄一郎・田中美紀・藪内 誠・澤田陽平・田中信二・新居浩二(ルネサス)・Tien Yu Lu・Chun Hsien Huang・Shou Sian Chen・Yu Tse Kuo・Ching Cheng Lung・Osbert Cheng(ユーエムシー)
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IST, IEICE-ICD, IEICE-SDM
(連催) ※学会内は併催
2018-08-09
12:45
北海道 北海道大学 M棟M151 10nm FinFETプロセスにおける回復効果を含むBTIのスタンダードセルのレイアウト形状依存性に関する研究
○五十嵐満彦・内田優希・高沢義生・塚本康正・澁谷宏治・新居浩二(ルネサスエレクトロニクス)
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IST, IEICE-ICD, IEICE-SDM
(連催) ※学会内は併催
2018-08-09
13:10
北海道 北海道大学 M棟M151 12nm FinFETプロセスを用いた3G search/s 高速デュアルポートTCAMの開発
○藪内 誠・森本薫夫・新居浩二・田中信二(ルネサス)
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IEICE-SDM, IEICE-ICD
(共催)
IST
(連催) [詳細]
2017-07-31
10:40
北海道 北海道大学情報教育館 SOTBプロセスによるIoT向け低消費電力混載SRAMの開発
○藪内 誠・新居浩二(ルネサス)・篠崎義弘(NSW)・山本芳樹・長谷川拓実・新川田裕樹・蒲原史朗(ルネサス)
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IEICE-SDM, IEICE-ICD
(共催)
IST
(連催) [詳細]
2017-08-01
13:00
北海道 北海道大学情報教育館 [依頼講演]A 3.2ppm/ºC Second-Order Temperature Compensated CMOS On-Chip Oscillator Using Voltage Ratio Adjusting Technique
○Guoqiang Zhang・Kosuke Yayama・Akio Katsushima(Renesas System Design)・Takahiro Miki(Renesas Electronics)
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IST 2016-09-26
16:20
東京 機械振興会館 CMOSイメージセンサーに対応した画素領域のコンタクト直下に形成したカーボン複合体欠陥での超近接ゲッタリング技術によるホワイトスポットの低減
○山口 直・山下朋弘(ルネサス)・神野 健・後藤洋太郎・黒井 隆(RSMC)・松浦正純(ルネサス)
 [more] IST2016-47
pp.23-26
IEICE-ICD, IEICE-SDM
(共催)
IST
(連催) [詳細]
2016-08-03
13:20
大阪 中央電気倶楽部 [招待講演]機能安全規格ISO26262 ASIL Bに対応する16nm FinFETヘテロジニアス9コアSoC
○高橋睦史・芝原真一・福岡一樹・松嶋 潤・北地祐子(ルネサス システムデザイン)・島崎靖久・原 博隆・入田隆宏(ルネサス エレクトロニクス)
 [more]
IST 2015-09-18
15:40
東京 機械振興会館 高性能イメージセンサへのマイクロ波アニールによるイオン注入損傷回復
○木村雅俊(ルネサスセミコンダクタマニュファクチュアリング)・山口 直(ルネサスエレクトロニクス)・黒井 隆(ルネサスセミコンダクタマニュファクチュアリング)
 [more] IST2015-54
pp.45-48
IST 2014-09-29
15:15
東京 機械振興会館 A 3.7M-pixel 1300-fps CMOS Image Sensor with 5.0G-Pixel/s High-Speed Readout Circuit
○Yusuke Sadanaga・Shunsuke Okura・Osamu Nishikido・Yasuhiro Kosaka・Norihiko Araki・Masanori Tachibana・Fukashi Morishita(Renesas Electronics)
 [more] IST2014-43
pp.9-11
IST, IEICE-ICD
(連催)
2013-07-04
16:15
北海道 サン・リフレ函館 [招待講演]低電圧不揮発メモリデバイス技術とシステム応用
○林越正紀(ルネサス エレクトロニクス)
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IST, IEICE-ICD
(連催)
2013-07-04
17:10
北海道 サン・リフレ函館 [パネル討論]増々アナログインタフェース機能を拡充するマイコン
○濱崎利彦(広島工大)・本間義久(パナソニック)・石原秀昭(デンソー)・岩田佳英(日本テキサス・インスツルメンツ)・林越正紀(ルネサス エレクトロニクス)・野田光彦(ラピスセミコンダクタ)・土肥義康(富士通研)
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IST, IEICE-ICD
(連催)
2013-07-05
11:30
北海道 サン・リフレ函館 センサネットワーク電源用0.5V起動フィードフォワード制御による1入力2出力オンチップ昇圧DC-DCコンバータ
○中瀬泰伸・井戸康弘・大石 司・熊本敏夫・清水 徹(ルネサス エレクトロニクス)
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IEICE-EMCJ, BCT
(連催)
2013-03-08
15:55
東京 機械振興会館 LTE級RFICにおける新しい帯域内スプリアス抑制法の提案 ~ バックエンドプロセスによる磁性薄膜集積化 ~
○室賀 翔・遠藤 恭・伊藤哲夫・田中 聡(東北大)・村上元己・堀 和明(ルネサスエレクトロニクス)・高橋 覚(ルネサスモバイル)・東 直矢・永田 真(神戸大)・山口正洋(東北大)
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