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講演検索結果
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 25件中 1~20件目  /  [次ページ]  
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
IST 2019-09-20
14:15
東京 機械振興会館 ピラミッド型回折装置を備えた裏面照射型CMOS撮像画素における近赤外線の像面位相差検出
國清辰也後藤洋太郎高橋史年佐藤英則神野 健飯塚康治園田賢一郎山下朋弘ルネサスエレクトロニクス
 [more] IST2019-49
pp.25-28
IEICE-SDM, IEICE-ICD
(共催)
IST
(連催) [詳細]
2019-08-07
16:30
北海道 北海道大学 情報科学院 3F A31 [招待講演]28nmスプリットゲートMONOS型フラッシュメモリを用いた高温動作かつ低エラー率を実現するPUF技術
下井貴裕斉藤朋也長瀬寛和伊豆名雅之神田明彦伊藤 孝河野隆司ルネサス エレクトロニクス
 [more]
IEICE-SDM, IEICE-ICD
(共催)
IST
(連催) [詳細]
2019-08-09
10:50
北海道 北海道大学 情報科学院 3F A31 [招待講演]ISO26262 ASIL-Dをサポートする、次世代自動車アーキテクチャ向けに仮想化支援プロセッサを内蔵した28nm・600MHz車載フラッシュマイクロコントローラ
奥村直人大谷寿賀子大槻典正鈴木康文前田昇平柳田智則小池貴夫伊藤正雄上村 稔島崎靖久服部俊洋阪本憲成近藤弘郁ルネサス エレクトロニクス
 [more]
IST, IEICE-ICD, IEICE-SDM
(連催)
2018-08-08
13:15
北海道 北海道大学 M棟M151 パスゲートトランジスタの対称性を向上した28nmHKMG 10TデュアルポートSRAMセル
石井雄一郎田中美紀藪内 誠澤田陽平田中信二新居浩二ルネサス)・Tien Yu LuChun Hsien HuangShou Sian ChenYu Tse KuoChing Cheng LungOsbert Chengユーエムシー
 [more]
IST, IEICE-ICD, IEICE-SDM
(連催)
2018-08-09
12:45
北海道 北海道大学 M棟M151 10nm FinFETプロセスにおける回復効果を含むBTIのスタンダードセルのレイアウト形状依存性に関する研究
五十嵐満彦内田優希高沢義生塚本康正澁谷宏治新居浩二ルネサスエレクトロニクス
 [more]
IST, IEICE-ICD, IEICE-SDM
(連催)
2018-08-09
13:10
北海道 北海道大学 M棟M151 12nm FinFETプロセスを用いた3G search/s 高速デュアルポートTCAMの開発
藪内 誠森本薫夫新居浩二田中信二ルネサス
 [more]
IEICE-SDM, IEICE-ICD
(共催)
IST
(連催) [詳細]
2017-07-31
10:40
北海道 北海道大学情報教育館 SOTBプロセスによるIoT向け低消費電力混載SRAMの開発
藪内 誠新居浩二ルネサス)・篠崎義弘NSW)・山本芳樹長谷川拓実新川田裕樹蒲原史朗ルネサス
 [more]
IEICE-SDM, IEICE-ICD
(共催)
IST
(連催) [詳細]
2017-08-01
13:00
北海道 北海道大学情報教育館 [依頼講演]A 3.2ppm/ºC Second-Order Temperature Compensated CMOS On-Chip Oscillator Using Voltage Ratio Adjusting Technique
Guoqiang ZhangKosuke YayamaAkio KatsushimaRenesas System Design)・Takahiro MikiRenesas Electronics
 [more]
IST 2016-09-26
16:20
東京 機械振興会館 CMOSイメージセンサーに対応した画素領域のコンタクト直下に形成したカーボン複合体欠陥での超近接ゲッタリング技術によるホワイトスポットの低減
山口 直山下朋弘ルネサス)・神野 健後藤洋太郎黒井 隆RSMC)・松浦正純ルネサス
 [more] IST2016-47
pp.23-26
IEICE-ICD, IEICE-SDM
(共催)
IST
(連催) [詳細]
2016-08-03
13:20
大阪 中央電気倶楽部 [招待講演]機能安全規格ISO26262 ASIL Bに対応する16nm FinFETヘテロジニアス9コアSoC
高橋睦史芝原真一福岡一樹松嶋 潤北地祐子ルネサス システムデザイン)・島崎靖久原 博隆入田隆宏ルネサス エレクトロニクス
 [more]
IST 2015-09-18
15:40
東京 機械振興会館 高性能イメージセンサへのマイクロ波アニールによるイオン注入損傷回復
木村雅俊ルネサスセミコンダクタマニュファクチュアリング)・山口 直ルネサスエレクトロニクス)・黒井 隆ルネサスセミコンダクタマニュファクチュアリング
 [more] IST2015-54
pp.45-48
IST 2014-09-29
15:15
東京 機械振興会館 A 3.7M-pixel 1300-fps CMOS Image Sensor with 5.0G-Pixel/s High-Speed Readout Circuit
Yusuke SadanagaShunsuke OkuraOsamu NishikidoYasuhiro KosakaNorihiko ArakiMasanori TachibanaFukashi MorishitaRenesas Electronics
 [more] IST2014-43
pp.9-11
IST, IEICE-ICD
(連催)
2013-07-04
16:15
北海道 サン・リフレ函館 [招待講演]低電圧不揮発メモリデバイス技術とシステム応用
林越正紀ルネサス エレクトロニクス
 [more]
IST, IEICE-ICD
(連催)
2013-07-04
17:10
北海道 サン・リフレ函館 [パネル討論]増々アナログインタフェース機能を拡充するマイコン
濱崎利彦広島工大)・本間義久パナソニック)・石原秀昭デンソー)・岩田佳英日本テキサス・インスツルメンツ)・林越正紀ルネサス エレクトロニクス)・野田光彦ラピスセミコンダクタ)・土肥義康富士通研
 [more]
IST, IEICE-ICD
(連催)
2013-07-05
11:30
北海道 サン・リフレ函館 センサネットワーク電源用0.5V起動フィードフォワード制御による1入力2出力オンチップ昇圧DC-DCコンバータ
中瀬泰伸井戸康弘大石 司熊本敏夫清水 徹ルネサス エレクトロニクス
 [more]
IEICE-EMCJ, BCT
(連催)
2013-03-08
15:55
東京 機械振興会館 LTE級RFICにおける新しい帯域内スプリアス抑制法の提案 ~ バックエンドプロセスによる磁性薄膜集積化 ~
室賀 翔遠藤 恭伊藤哲夫田中 聡東北大)・村上元己堀 和明ルネサスエレクトロニクス)・高橋 覚ルネサスモバイル)・東 直矢永田 真神戸大)・山口正洋東北大
 [more]
IEICE-ITS, IEICE-IE
(共催)
AIT, HI, ME
(共催)
(連催) [詳細]
2013-02-18
15:40
北海道 北海道大学 車載向け後方測距システムのテクスチャ物体への適用
野波昌志公立はこだて未来大)・戸田真志熊本大)・長崎 健公立はこだて未来大)・大塚 聡ルネサス エレクトロニクス
 [more]
IST, IEICE-ICD
(連催)
2012-07-26
14:20
山形 山形大学米沢キャンパス [招待講演]パワーデバイス混載ミックスシグナルLSIテクノロジ
畑迫健一ルネサス エレクトロニクス
 [more]
IST, IEICE-ICD
(連催)
2012-07-26
15:20
山形 山形大学米沢キャンパス [招待講演]ISSCC技術トレンド 通信ネットワーク技術
岡田健一東工大)・三木隆博ルネサス エレクトロニクス)・山脇大造ルネサスモバイル
 [more]
IST 2011-09-30
16:00
東京 機械振興会館 [招待講演]組み込み用高速信号処理技術に適したマルチコア技術
有本和民ルネサス
人が快適な生活を過ごすためのエコ・グリーン等で表現される高エネルギー効率指向にともない、LSIでは周波数向上による処理性... [more] IST2011-56
pp.21-24
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