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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
IST 2019-06-18
14:40
東京 東京理科大森戸記念館 高SN比吸光イメージングによる真空チャンバー内ガス濃度分布計測
髙橋圭吾シパウバカルバリオダシルバ イヤンギリカルド沼尾直毅黒田理人藤原康行村田真麻石井秀和森本達郎諏訪智之寺本章伸須川成利東北大
高い信号対雑音比(SN比)と紫外波長帯域において高感度・高耐光性を有するLOFIC CMOSイメージセンサを用いた真空チ... [more] IST2019-37
pp.11-14
IST 2019-03-22
13:00
東京 機械振興会館 横型オーバーフロー蓄積トレンチ容量を有する飽和電子数2430万個・近赤外高感度CMOSイメージセンサ
村田真麻黒田理人藤原康行大塚雄介東北大)・柴田 寛柴口 拓鎌田 浩三浦規之栗山尚也ラピス)・須川成利東北大
低不純物濃度p型Si基板上の各画素に横型オーバーフロー蓄積トレンチ容量を搭載し,1千万個を超える高い飽和電子数と近赤外領... [more] IST2019-17
pp.27-32
IST 2019-03-22
15:35
東京 機械振興会館 0.1aFの検出精度を有するCMOS近接容量イメージセンサ
山本将大黒田理人鈴木 学後藤哲也東北大)・羽森 寛村上真一安田俊朗横道やよいOHT Inc.)・○須川成利東北大
 [more] IST2019-21
pp.49-54
IST 2018-09-25
13:40
東京 機械振興会館 バーストCDS動作を用いた撮影速度1億2500万コマ/秒の高速CMOSイメージセンサ
鈴木 学黒田理人須川成利東北大
バースト相関二重サンプリング(CDS)動作を用いて光電荷転送時間相当のフレーム周期を達成した,画素毎に隣接配置されたメモ... [more] IST2018-48
pp.5-8
IST 2018-06-27
13:10
東京 東京理大森戸記念館 [ポスター講演]高紫外光感度・高飽和CMOSイメージセンサを用いたサブppmオーダのオゾン水対流のイメージング
村田真麻藤原康行青柳雄介黒田理人須川成利東北大
高紫外光感度・高飽和性能を有するCMOSイメージセンサを用いた紫外光吸光イメージングについて述べる.Si表面近傍に急峻な... [more] IST2018-34
pp.13-16
IST 2018-03-09
14:10
東京 NHK 放送技術研究所講堂 最高撮像速度5000万コマ/秒を有するプロトタイプグローバルシャッタ高速CMOSイメージセンサ
鈴木 学鈴木 将黒田理人須川成利東北大
最高撮像速度5000万コマ/秒を超える3次元積層高速CMOSイメージセンサの創出に向けたプロトタイプセンサチップの評価に... [more] IST2018-20
pp.39-42
IST 2017-09-25
10:40
東京 機械振興会館 SNR 70dB超のCMOSイメージセンサと半値幅10nmのチューナブルマルチバンドパスフィルタを用いた分光イメージングシステム
青柳雄介藤原康行村田真麻那須野悟史若嶋駿一黒田理人寺島康平石鍋隆宏藤掛英夫東北大)・若生一広仙台高専)・須川成利東北大
 [more] IST2017-51
pp.9-12
IST 2017-09-25
11:10
東京 機械振興会館 画素SFで発生するランダムテレグラフノイズの統計的解析 ~ トランジスタ形状・時定数・遷移数の影響 ~
黒田理人寺本章伸市野真也間脇武蔵若嶋駿一須川成利東北大
 [more] IST2017-52
pp.13-16
IST 2017-09-25
16:25
東京 機械振興会館 画素内埋め込み保持部と横型オーバーフロー蓄積容量を用いた224ke-飽和電荷数を有する3.875um□グローバルシャッタCMOSイメージセンサ
酒井 伸坂野頼人田代睦聡加藤祐理秋山健太郎本田勝巳佐藤 守榊原雅樹田浦忠行浅見健司平野智之大池祐輔十河康則江崎孝之奈良部忠邦平山照峰ソニーセミコンダクタソリューションズ)・須川成利東北大
 [more] IST2017-59
pp.43-46
IST 2017-03-10
10:40
東京 NHK放送技術研究所講堂 高密度アナログメモリを搭載した超高速グローバルシャッタCMOSイメージセンサ
鈴木 学鈴木 将黒田理人東北大)・熊谷勇喜千葉 亮三浦規之栗山尚也ラピスセミコンダクタ宮城)・須川成利東北大
 [more] IST2017-10
pp.7-10
IST 2017-03-10
15:40
東京 NHK放送技術研究所講堂 急峻pn接合Siダイオード技術を用いた高感度・高速性能低加速電圧電子線検出器
黒田理人幸田安真原 昌也角田博之須川成利東北大
 [more] IST2017-18
pp.39-42
IST 2016-11-17
16:30
東京 東工大田町キャンパス [ポスター講演]190-1100 nm waveband multispectral imaging system using high UV-light resistance 94dB dynamic range CMOS image sensor
Yasuyuki FujiharaSatoshi NasunoShunichi WakashimaYusuke AoyagiRihito KurodaShigetoshi SugawaTohoku Univ.
A 190-1100nm waveband multispectral imaging system is develo... [more] IST2016-66
pp.37-38
IST 2016-09-26
14:20
東京 機械振興会館 画素毎の接続を用いた画素内に横型オーバーフロー蓄積容量およびAD変換器を有する露光時間途切れのないグローバルシャッタ積層型CMOSイメージセンサ
黒田理人須郷秀武若嶋駿一須川成利東北大
 [more] IST2016-44
pp.11-14
IST 2016-05-06
13:05
東京 東京理科大学 森戸記念館 [ポスター講演]シリコンフォトダイオードを用いた分光感度差分型紫外線センサ
Yhang Ricardo Sipauba Carvalho da Silva幸田安真那須野悟史黒田理人須川成利東北大
ドーパントの濃度プロファイルを調整することで,紫外線高感度PDと紫外線低感度PDの2種類のPDを受光素子内に作り込み,そ... [more] IST2016-22
pp.5-8
IST 2016-05-06
13:05
東京 東京理科大学 森戸記念館 [ポスター講演]高光耐性・広ダイナミックレンジCMOSイメージセンサを用いた紫外分光イメージング
藤原康行那須野悟史若嶋駿一楠原史章石井秀和黒田理人須川成利東北大
広光波長帯域・高光耐性PD,高感度・高飽和性能を有するLOFIC CMOSイメージセンサを用いた紫外分光イメージングにつ... [more] IST2016-24
pp.13-16
IST 2016-03-11
13:00
東京 NHK技研講堂 [技術展示]常用光感度をISO16000に高めた最高撮影速度1000万コマ/秒の高速度ビデオカメラによる高速現象の可視化
鈴木 学鈴木 将邵 繁黒田理人東北大)・徳岡信行川口泰範冨永秀樹島津製作所)・須川成利東北大
光感度の向上と低消費電力化を達成した,画素領域周辺部にオンチップ記憶メモリを有する高速度CMOSイメージセンサとそれを搭... [more] IST2016-13
pp.25-28
IST 2015-09-18
16:10
東京 機械振興会館 電荷電圧変換ゲイン240uV/e-、飽和電子数200ke-、感度波長帯域190-1000nmを有するCMOSイメージセンサ
那須野悟史若嶋駿一楠原史章黒田理人須川成利東北大
広光波長帯域・高信頼性PD技術,低容量FD形成技術,LOFIC技術,埋め込みチャネル技術を融合した画素ピッチ5.6 μm... [more] IST2015-55
pp.49-52
IST 2015-09-18
16:40
東京 機械振興会館 フローティングディフュージョン容量成分の解析・低減技術と高感度・高飽和CMOSイメージセンサへの適用
楠原史章若嶋駿一那須野悟史黒田理人須川成利東北大
フローティングディフュージョン(FD)容量(CFD)成分の解析と低減技術,およびそれらを適用して試作した高感度・高飽和C... [more] IST2015-56
pp.53-56
IST 2015-05-08
15:00
東京 東京理科大学 森戸記念館 ゲート絶縁膜/Si界面の原子オーダー平坦化によるランダムテレグラフノイズ低減効果
黒田理人小原俊樹後藤哲也赤川直也木本大幾寺本章伸須川成利東北大
 [more] IST2015-33
pp.35-38
IST 2015-03-27
14:55
東京 機械振興会館 浮遊容量負荷読み出しを用いたCMOSイメージセンサの読み出しゲインと線形範囲向上効果
若嶋駿一楠原史章黒田理人須川成利東北大
浮遊容量負荷読み出しは,従来の定電流読み出し方法と比較して,画素信号読み出しゲインと線形範囲が向上する.試作した2.8u... [more] IST2015-20
pp.41-44
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